Группа южнокорейских ученых заявила о создании первой в мире прозрачной микросхемы памяти. Разработка называется TRRAM, что расшифровывается как – «прозрачная резистивная память с произвольной выборкой» (Transparent Resistive Random Access Memory).

По словам ведущего разработчика TRRAM доктора Джун Вон Сео станет новым шагом в развитии электроники. С этим трудно не согласиться, поскольку TRRAM позволяет создать устройство прозрачное насквозь.

По своим характеристикам новая микросхема похожа на память типа CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), которая сегодня активно используется, например, в USB-флешках. Однако технологически новинка ближе к памяти типа RRAM (Resistive Random Access Memory) – тоже, кстати, относительно недавней разработке. Дело в том, что для производства RRAM используются металлооксидные материалы с высокой прозрачностью. Для создания новой микросхемы, корейцам фактически было нужно всего лишь найти прозрачные электроды и подложку.

Коэффициент пропускания видимого излучения у новых чипов оказался равен 0,81. Это хороший результат, если учесть, что коэффициент пропускания стандартного двойного стеклопакета со стеклом М1 равен 0,82.

Можно не сомневаться, что разработка найдет широкое применение в электронике. По крайней мере, нашумевший в свое время концепт телефона Nokia Morph предполагает использование именно прозрачных микросхем.

Если верить корейским ученым, наладить производство TRRAM не сложно и до массового внедрения новой памяти осталось ждать всего три-четыре года. С учетом того, что в качестве подожки можно использовать практически любые прозрачные материалы, стоимость устройств с TRRAM будет не слишком высокой.